Eos200L為新一代碳化矽磊晶層厚度全自動測量設備，採用傅立葉轉換紅外光譜(Fourier-transform infrared spectroscopy ,FTIR)技術，是目前全世界唯一可以快速測量碳化矽緩衝層(Buffer)、磊晶層(Epitaxy)各層的厚度的機台，測量最小厚度為0.1um。 Eos200L目前全世界唯一FTIR紅外光譜儀採用模組化設計，大幅降低設備的使用及維護成本，整機測量性能超越業界各廠商的機台。Eos200L FTIR測量設備紅外光源採用電子空冷設計，改善國外廠商需使用廠務冷卻水（PCW）的需求，降低安裝維護成本，Eos200 光譜儀雷射器採用固態半導體雷射器設計，10 年內不需要換修，優越於其他廠商使用氦氖雷射器（He-Ne Laser）使用壽命短，每2年需要換新，增加維護時間和換新成本。Eos200L分光鏡採用ZnSe防潮材料和防潮型DTGS接收器，無需P-N₂保護，優越於其他廠商分光鏡需24小時使用P-N₂保護，增加設備使用成本。