上海優睿譜半導體設備有限公司Eos200為新一代磊晶層厚度全自動測量設備，採用傅立葉轉換紅外光譜(Fourier-transform infrared spectroscopy ,FTIR)技術，可以快速測量磊晶層(Epitaxy)的厚度。Eos200適用於測量一代半導體(矽磊晶片)、二代半導體(砷化鎵、磷化銦基材磊晶)、三代半導體(碳化矽、氮化鎵磊晶片)、分子束磊晶(MBE)等的磊晶層厚度，光阻劑厚度及CMP 拋光後的厚度。 Eos200是新一代全自動FTIR測量設備，於核心部件、整機、軟體等都是採用最新一代的模組化創新設計，整機測量性能在達到國外廠商同等水準的情況下，還能大幅降低設備的使用及維護成本，例如Eos200 FTIR測量設備紅外光源採用電子空冷設計，改善國外廠商需使用廠務冷卻水（PCW）的需求，有效降低安裝維護成本，Eos200 光譜儀雷射器採用固態半導體雷射器設計，改善國外廠商氦氖雷射器（He-Ne Laser）壽命短需要定期換新的時間成本和耗材成本，Eos200分光鏡採用新材料和防潮型接收器，無需P-N₂保護，改善國外廠商分光鏡需24小時使用P-N₂保護的缺點，大幅降低設備的使用成本。